二、Dothan的五项新技术

    Dothan与Banias相比，采用了五项新技术，当然，同样是出于技术保护的目的，intel没有公布这些技术的细节，因而我们也只能尽量细致的剖析这些新技术。
　

90纳米工艺 和 2MB L2缓存

    Banias使用0.13微米工艺制造。良好的性能表现证明此项技术在Banias上的应用十分成功。

    而Dothan依靠更先进的90纳米制造工艺，与Banias相比性能提高更甚。同样是90纳米制造工艺，Prescott备受争议，而Dothan却风光无限。

    Dothan内含一亿四千万个晶体管，超过七千七百万的Banias将近一倍，而核心面积却和Banias相同，都为100 mm² 。在相同的核心面积上加倍的安放晶体管，这一直是半导体制造商的追求目标，而依靠90纳米工艺，intel实现了这个目标。当然，这种工艺也使得核心的制造成本有所提高。

    改进的另一个主要方面是Dothan两倍于Banias的2MB L2 缓存，而 64KB L1 缓存仍然与过去一样。

    我们认为intel可能会把 Prescott 上的90nm SRAM移植到了Dothan上面。正是由于更小的90nm SRAM单元使得100 mm² 的核心可以发挥更大的功效，同时也带来更低的功耗。

    由于增大了二级缓存，Dothan核心的数据预读取量大大增加。实际上，增加二级缓存是在保持架构不变的情况下提高处理器性能的最直接的方法。

    90纳米工艺同样给Dothan带来了工作主频的提高，目前我们已经可以看到2GHz的Dothan了，而预计到年底，Dothan的主频会突破2GHz，请注意，intel设计Dothan和Banias的初衷是要追求更低的功耗，不过功耗和主频能二者兼顾岂不更好。
 

结合型浮点运算技术

    Intel似乎故意在 Bania的结合型浮点运算技术上有所隐瞒，并且到了Dothan推出时也同样如此，目前我们知道的仅仅是Dothan允许更多类型的 浮点运算以结合方式运行。当然这是好事，不过如果能知道得再详细些的话消费者会更高兴的。

改进的分支预测技术

    在Dothan上，分支预测技术得到了改进，这有利于提高芯片的性能和降低功耗，别忘了，越少的预测误差，就代表着越少的流水线数据流量，自然也就代表着更少的功耗。

    Dothan的分支预测技术中一项最重要的改进发生在它的循环检测器上。尽管一些情况下循环结构与分支结构大不相同，但所有的循环结构在起始阶段都要使用到选择分支（例如，if i ‹ 10, then keep looping），因而如果分支预测技术得到改进，则循环结构的工作效率也会相应提高。

    Dothan在它的小循环检测和预测分支技术中还包含一个独特的算法，同样，intel对之守口如瓶，但是从实际效果看，在小循环检测应用上，Dothan确实能力有所加强。

更快的整数运算能力

    在一般的处理器应用过程中，逻辑和整数运算是必不可少的，Dothan在这方面能力也非常强，不过Dothan在这方面应用了哪些新技术，由于intel的滴水不漏，我们实在是不得而知。

增强的注册控制器

    文章开头我们提到过，Dothan的许多改进都是在Banias的设计中无法实现的。注册控制器就是其中之一，如果在Banias中开辟一个区域加入这种设计，那么Banias就会不堪重负了，而Dothan并未遇到这种情况，由于其工艺的先进，安插更多的晶体管是小菜一碟

三、Pentium M 的针脚

    关于Pentium M与Pentium 4主板的兼容性问题值得一提，尽管Pentium M拥有和Pentium 4一样频率的前端总线，但其针脚却和Pentium 4截然不同。

    注意看，尽管Pentium M与Pentium 4的针脚数目一样，但是所有针脚的布局却不完全相同，因而虽然都是478针脚，却需要不同的cpu插槽。

    intel还进一步把标识cpu插入方向的那个箭头改换了位置，这样你就根本无法把Pentium M插入Pentium 4的主板了。

 

左边是Pentium 4，右边是Pentium M,有何不同一目了然

 

  对消费者来说，二者不能通用，但对主板制造商来说，却不必耗巨资开发新的芯片组，由于Pentium M和Pentium 4的管脚定义是一样的，因而任何一款适配Pentium 4的芯片组都可以支持Pentium M。